0 0 0
  8. IPU95R1K2P7AKMA1

Транзистори з каналом N THT IPU95R1K2P7AKMA1

 
IPU95R1K2P7AKMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078536
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 3,7А; 52Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.95 грн
5+
58.00 грн
19+
52.44 грн
52+
50.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005)
Напруга сток-джерело
950В(1628409)
Струм стока
3,7А(1441259)
Опір в стані провідності
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
52Вт(1507407)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
15нКл(1479067)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,411 g
 
Транзистори з каналом N THT IPU95R1K2P7AKMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078536
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 3,7А; 52Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.95 грн
5+
58.00 грн
19+
52.44 грн
52+
50.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Напруга сток-джерело
950В
Струм стока
3,7А
Опір в стані провідності
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
52Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
15нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,411 g