0 0 0
  8. IPW60R180P7XKSA1

Транзистори з каналом N THT IPW60R180P7XKSA1

 
IPW60R180P7XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078569
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; 72Вт; PG-TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
180.40 грн
3+
162.12 грн
8+
127.95 грн
22+
120.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO247-3(1601690)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
11А(1479209)
Опір в стані провідності
0,18Ом(1459400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
72Вт(1507557)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
25нКл(1479056)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,5 g
 
Транзистори з каналом N THT IPW60R180P7XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078569
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; 72Вт; PG-TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
180.40 грн
3+
162.12 грн
8+
127.95 грн
22+
120.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO247-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
11А
Опір в стані провідності
0,18Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
72Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
25нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,5 g