0 0 0
  8. IPZA60R099P7XKSA1

Транзистори з каналом N THT IPZA60R099P7XKSA1

 
IPZA60R099P7XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078616
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; 117Вт; PG-TO247-4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
428.96 грн
4+
256.90 грн
11+
242.63 грн
480+
237.87 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO247-4(1602431)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
20А(1441300)
Опір в стані провідності
99мОм(1599114)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
117Вт(1702081)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
45нКл(1609966)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,3 g
 
Транзистори з каналом N THT IPZA60R099P7XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078616
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; 117Вт; PG-TO247-4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
428.96 грн
4+
256.90 грн
11+
242.63 грн
480+
237.87 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO247-4
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
20А
Опір в стані провідності
99мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
117Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
45нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,3 g