0 0 0
  8. IRF100B202

Транзистори з каналом N THT IRF100B202

 
IRF100B202
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078619
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 68А; 221Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
88.93 грн
5+
80.28 грн
17+
62.17 грн
45+
59.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 26 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
68А(1492242)
Опір в стані провідності
8,6мОм(1599594)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
221Вт(1741981)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
77нКл(1479494)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,97 g
 
Транзистори з каналом N THT IRF100B202
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078619
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 68А; 221Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
88.93 грн
5+
80.28 грн
17+
62.17 грн
45+
59.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 26 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
68А
Опір в стані провідності
8,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
221Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
77нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,97 g