0 0 0
  8. IRF200B211

Транзистори з каналом N THT IRF200B211

 
IRF200B211
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 827907
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9А; Idm: 34А; 80Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
47.57 грн
5+
42.65 грн
25+
37.81 грн
29+
33.93 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
9А(1441543)
Опір в стані провідності
0,17Ом(1492503)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
80Вт(1701921)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
23нКл(1479059)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
34А(1759386)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT IRF200B211
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 827907
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9А; Idm: 34А; 80Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
47.57 грн
5+
42.65 грн
25+
37.81 грн
29+
33.93 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
9А
Опір в стані провідності
0,17Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
80Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
23нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
34А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g