0 0 0
  8. IRF3808STRLPBF

Транзистори з каналом N SMD IRF3808STRLPBF

 
IRF3808STRLPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401895
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 75А; Idm: 550А; 200Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
192.89 грн
10+
102.40 грн
28+
96.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 644 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
75В(1441319)
Струм стока
75А(1441317)
Опір в стані провідності
7мОм(1441318)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
200Вт(1701925)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
550А(1758584)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,689 g
 
Транзистори з каналом N SMD IRF3808STRLPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401895
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 75А; Idm: 550А; 200Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
192.89 грн
10+
102.40 грн
28+
96.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 644 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
75В
Струм стока
75А
Опір в стані провідності
7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
200Вт
Поляризація
польовий
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
550А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,689 g