0 0 0
  8. IRF5210PBF

Транзистори з каналом P THT IRF5210PBF

 
IRF5210PBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 141083
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
143.83 грн
10+
127.50 грн
11+
90.96 грн
31+
86.30 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1312 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-40А(1478950)
Опір в стані провідності
60мОм(1441262)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
200Вт(1701925)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
0,12мкКл(1950533)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,98 g
 
Транзистори з каналом P THT IRF5210PBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 141083
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
143.83 грн
10+
127.50 грн
11+
90.96 грн
31+
86.30 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1312 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-40А
Опір в стані провідності
60мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
200Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
0,12мкКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,98 g