0 0 0
  8. IRF5305PBF

Транзистори з каналом P THT IRF5305PBF

 
IRF5305PBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 141084
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.86 грн
3+
51.31 грн
10+
45.87 грн
26+
39.65 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2312 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
-55В(1478943)
Струм стока
-31А(1478956)
Опір в стані провідності
60мОм(1441262)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
42нКл(1478958)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,95 g
 
Транзистори з каналом P THT IRF5305PBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 141084
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.86 грн
3+
51.31 грн
10+
45.87 грн
26+
39.65 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2312 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
-55В
Струм стока
-31А
Опір в стані провідності
60мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
42нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,95 g