0 0 0
  8. IRF530NPBF

Транзистори з каналом N THT IRF530NPBF

 
IRF530NPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078675
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
73.89 грн
3+
35.20 грн
10+
31.70 грн
33+
30.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 630 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
17А(1441577)
Опір в стані провідності
90мОм(1479066)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
79Вт(1740747)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
24,7нКл(1479244)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,95 g
 
Транзистори з каналом N THT IRF530NPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078675
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
73.89 грн
3+
35.20 грн
10+
31.70 грн
33+
30.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 630 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
17А
Опір в стані провідності
90мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
79Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
24,7нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,95 g