Транзистори з каналом P SMD IRF5803TRPBF

 
IRF5803TRPBF
 
Артикул: 140722
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -3,4А; 1,3Вт; TSOP6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
37.45 грн
50+
26.53 грн
70+
14.10 грн
191+
13.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3180 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
-40В(1441467)
Струм стока
-3,4А(1479073)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,3Вт(1449369)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,03 g
 
Транзистори з каналом P SMD IRF5803TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 140722
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -3,4А; 1,3Вт; TSOP6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
37.45 грн
50+
26.53 грн
70+
14.10 грн
191+
13.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3180 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
-40В
Струм стока
-3,4А
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,03 g