0 0 0
  8. IRF630NPBF

Транзистори з каналом N THT IRF630NPBF

 
IRF630NPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078684
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,5А; 82Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
69.12 грн
22+
45.18 грн
60+
42.71 грн
500+
41.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 296 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
9,5А(1479197)
Опір в стані провідності
0,3Ом(1492261)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
82Вт(1740782)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
23,3нКл(1478980)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,94 g
 
Транзистори з каналом N THT IRF630NPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078684
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,5А; 82Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
69.12 грн
22+
45.18 грн
60+
42.71 грн
500+
41.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 296 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
9,5А
Опір в стані провідності
0,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
82Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
23,3нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,94 g