Транзистори багатоканальні IRF7342TRPBF

 
IRF7342TRPBF
 
Артикул: 000367
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.44 грн
5+
42.48 грн
25+
35.66 грн
31+
32.09 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 7593 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-55В(1478943)
Струм стока
-3,4А(1479073)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,117 g
 
Транзистори багатоканальні IRF7342TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000367
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.44 грн
5+
42.48 грн
25+
35.66 грн
31+
32.09 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 7593 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-55В
Струм стока
-3,4А
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,117 g