0 0 0
  7. IRF7343TRPBF

Транзистори багатоканальні IRF7343TRPBF

 
IRF7343TRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000368
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
70.54 грн
10+
59.61 грн
25+
46.82 грн
36+
27.05 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 856 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
55/-55В(1596058)
Струм стока
4,7/-3,4А(1596059)
Опір в стані провідності
50/105мОм(1596060)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,12 g
 
Транзистори багатоканальні IRF7343TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000368
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
70.54 грн
10+
59.61 грн
25+
46.82 грн
36+
27.05 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 856 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
55/-55В
Струм стока
4,7/-3,4А
Опір в стані провідності
50/105мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,12 g