Транзистори багатоканальні IRF7379TRPBF

 
IRF7379TRPBF
 
Артикул: 000370
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 5,8/-4,3А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
4000+
22.59 грн
Мін. замовлення: 4000
Кратність: 4000
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30/-30В(1596055)
Струм стока
5,8/-4,3А(1596065)
Опір в стані провідності
45/90мОм(1596066)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
2,5Вт(1449363)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 430 mg
 
Транзистори багатоканальні IRF7379TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000370
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 5,8/-4,3А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
4000+
22.59 грн
Мін. замовлення: 4000
Кратність: 4000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30/-30В
Струм стока
5,8/-4,3А
Опір в стані провідності
45/90мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 430 mg