Транзистори багатоканальні IRF7507TRPBF

 
IRF7507TRPBF
 
Артикул: 000377
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 2,4/-1А; 1,25Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
4000+
14.07 грн
Мін. замовлення: 4000
Кратність: 4000
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
20/-20В(1596061)
Струм стока
2,4/-1А(1596096)
Опір в стані провідності
0,135/0,27Ом(1596317)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
1,25Вт(1702038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 430 mg
 
Транзистори багатоканальні IRF7507TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000377
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 2,4/-1А; 1,25Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
4000+
14.07 грн
Мін. замовлення: 4000
Кратність: 4000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
20/-20В
Струм стока
2,4/-1А
Опір в стані провідності
0,135/0,27Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 430 mg