Транзисторы с каналом P SMD IRF7606TRPBF

 
IRF7606TRPBF
 
Артикул: 1170359
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 1,8Вт; Micro8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
4000+
14.62 грн
Мін. замовлення: 4000
Кратність: 4000
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
Micro8(1479153)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-3,6А(1479071)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,8Вт(1449543)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 430 mg
 
Транзисторы с каналом P SMD IRF7606TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1170359
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 1,8Вт; Micro8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
4000+
14.62 грн
Мін. замовлення: 4000
Кратність: 4000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
Micro8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-3,6А
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 430 mg