Транзистори багатоканальні IRF7910TRPBF

 
IRF7910TRPBF
 
Артикул: 000383
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 10А; 2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
4000+
36.51 грн
Мін. замовлення: 4000
Кратність: 4000
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
12В(1441274)
Струм стока
10А(1441290)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 430 mg
 
Транзистори багатоканальні IRF7910TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000383
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 10А; 2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
4000+
36.51 грн
Мін. замовлення: 4000
Кратність: 4000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
12В
Струм стока
10А
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 430 mg