0 0 0
  8. IRF8010PBF

Транзисторы с каналом N THT IRF8010PBF

 
IRF8010PBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078697
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 260Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
107.82 грн
13+
82.64 грн
34+
78.70 грн
1000+
74.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 283 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
15мОм(1479025)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
260Вт(1701961)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
81нКл(1479445)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,93 g
 
Транзисторы с каналом N THT IRF8010PBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078697
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 260Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
107.82 грн
13+
82.64 грн
34+
78.70 грн
1000+
74.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 283 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
15мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
260Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
81нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,93 g