0 0 0
  8. IRF8707TRPBF

Транзистори з каналом N SMD IRF8707TRPBF

 
IRF8707TRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 785715
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,1А; Idm: 88А; 1,6Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
38.94 грн
50+
23.84 грн
56+
17.96 грн
153+
17.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
9,1А(1479188)
Опір в стані провідності
17,5мОм(1479030)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
9,3нКл(1479081)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
88А(1789233)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD IRF8707TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 785715
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,1А; Idm: 88А; 1,6Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
38.94 грн
50+
23.84 грн
56+
17.96 грн
153+
17.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
9,1А
Опір в стані провідності
17,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
9,3нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
88А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g