0 0 0
  7. IRF9389TRPBF

Транзисторы многоканальные IRF9389TRPBF

 
IRF9389TRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000388
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 6,8/-4,6А; 2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
30.69 грн
25+
26.45 грн
49+
20.46 грн
134+
19.36 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 1217 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30/-30В(1596055)
Струм стока
6,8/-4,6А(1596101)
Опір в стані провідності
27/64мОм(1596102)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,11 g
 
Транзисторы многоканальные IRF9389TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000388
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 6,8/-4,6А; 2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
30.69 грн
25+
26.45 грн
49+
20.46 грн
134+
19.36 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 1217 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30/-30В
Струм стока
6,8/-4,6А
Опір в стані провідності
27/64мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,11 g