0 0 0
  8. IRF9393TRPBF

Транзистори з каналом P SMD IRF9393TRPBF

 
IRF9393TRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 140760
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7,3А; 1,6Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
35.86 грн
25+
32.51 грн
41+
24.86 грн
111+
23.51 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 3894 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-7,3А(1492404)
Опір в стані провідності
19,4мОм(1714168)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Заряд затвора
25нКл(1479056)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,123 g
 
Транзистори з каналом P SMD IRF9393TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 140760
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7,3А; 1,6Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
35.86 грн
25+
32.51 грн
41+
24.86 грн
111+
23.51 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 3894 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-7,3А
Опір в стані провідності
19,4мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Заряд затвора
25нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,123 g