0 0 0
  8. IRF9Z34NPBF

Транзистори з каналом P THT IRF9Z34NPBF

 
IRF9Z34NPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 141102
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -19А; 68Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.90 грн
10+
52.02 грн
27+
37.86 грн
73+
35.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 188 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
-55В(1478943)
Струм стока
-19А(1478978)
Опір в стані провідності
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
68Вт(1708591)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
23,3нКл(1478980)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,953 g
 
Транзистори з каналом P THT IRF9Z34NPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 141102
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -19А; 68Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.90 грн
10+
52.02 грн
27+
37.86 грн
73+
35.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 188 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
-55В
Струм стока
-19А
Опір в стані провідності
0,1Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
68Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
23,3нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,953 g