0 0 0
  8. IRFB3207PBF

Транзистори з каналом N THT IRFB3207PBF

 
IRFB3207PBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078717
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 330Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
292.12 грн
3+
261.95 грн
6+
200.83 грн
14+
190.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 71 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
75В(1441319)
Струм стока
120А(1441550)
Опір в стані провідності
4,5мОм(1479259)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
330Вт(1701960)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
180нКл(1479420)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,987 g
 
Транзистори з каналом N THT IRFB3207PBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078717
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 330Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
292.12 грн
3+
261.95 грн
6+
200.83 грн
14+
190.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 71 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
75В
Струм стока
120А
Опір в стані провідності
4,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
330Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
180нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,987 g