0 0 0
  8. IRFB3307PBF

Транзистори з каналом N THT IRFB3307PBF

 
IRFB3307PBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1000137
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 130А; 250Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
187.55 грн
3+
169.27 грн
8+
129.54 грн
22+
122.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 92 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
75В(1441319)
Струм стока
130А(1441558)
Опір в стані провідності
6,3мОм(1479278)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
0,12мкКл(1950533)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,978 g
 
Транзистори з каналом N THT IRFB3307PBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1000137
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 130А; 250Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
187.55 грн
3+
169.27 грн
8+
129.54 грн
22+
122.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 92 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
75В
Струм стока
130А
Опір в стані провідності
6,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
0,12мкКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,978 g