0 0 0
  8. IRFHM6342TR2PBF

Транзистори з каналом N SMD IRFHM6342TR2PBF

 
IRFHM6342TR2PBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076899
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8,5А; 2,1Вт; PQFN2X2
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
4000+
11.98 грн
Мін. замовлення: 4000
Кратність: 4000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN2X2(1479009)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
8,5А(1479174)
Опір в стані провідності
15,5мОм(1479180)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2,1Вт(1487305)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
11нКл(1479181)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 32,5 mg
 
Транзистори з каналом N SMD IRFHM6342TR2PBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076899
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8,5А; 2,1Вт; PQFN2X2
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
4000+
11.98 грн
Мін. замовлення: 4000
Кратність: 4000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN2X2
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
8,5А
Опір в стані провідності
15,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2,1Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
11нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 32,5 mg