0 0 0
  8. IRFS3306TRLPBF

Транзисторы с каналом N SMD IRFS3306TRLPBF

 
IRFS3306TRLPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401907
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 110А; Idm: 620А; 230Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
157.32 грн
5+
142.22 грн
10+
108.85 грн
25+
103.29 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 603 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
110А(1479508)
Опір в стані провідності
4,2мОм(1479514)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
230Вт(1701908)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
620А(1776131)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,773 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IRFS3306TRLPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401907
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 110А; Idm: 620А; 230Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
157.32 грн
5+
142.22 грн
10+
108.85 грн
25+
103.29 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 603 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
110А
Опір в стані провідності
4,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
230Вт
Поляризація
польовий
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
620А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,773 g