0 0 0
  8. IRL100HS121

Транзистори з каналом N SMD IRL100HS121

 
IRL100HS121
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076874
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 7,8А; 5,8Вт; PQFN2X2
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.62 грн
5+
37.82 грн
25+
33.93 грн
34+
29.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN2X2(1479009)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
7,8А(1492321)
Опір в стані провідності
42мОм(1478970)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
5,8Вт(1449552)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Заряд затвора
3,7нКл(1714174)
Технологія
OptiMOS™ 5(1599490)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD IRL100HS121
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076874
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 7,8А; 5,8Вт; PQFN2X2
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.62 грн
5+
37.82 грн
25+
33.93 грн
34+
29.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN2X2
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
7,8А
Опір в стані провідності
42мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
5,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Заряд затвора
3,7нКл
Технологія
OptiMOS™ 5
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g