0 0 0
  8. IRL1404ZSTRLPBF

Транзистори з каналом N SMD IRL1404ZSTRLPBF

 
IRL1404ZSTRLPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 365161
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 790А; 230Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
143.81 грн
5+
130.30 грн
10+
99.32 грн
28+
93.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1145 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
120А(1441550)
Опір в стані провідності
3,1мОм(1479542)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
230Вт(1701908)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
75нКл(1479015)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
790А(1790409)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,704 g
 
Транзистори з каналом N SMD IRL1404ZSTRLPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 365161
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 790А; 230Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
143.81 грн
5+
130.30 грн
10+
99.32 грн
28+
93.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1145 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
120А
Опір в стані провідності
3,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
230Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
75нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
790А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,704 g