0 0 0
  8. IRL40B212

Транзистори з каналом N THT IRL40B212

 
IRL40B212
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1175027
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 179А; 231Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
166.17 грн
3+
147.00 грн
8+
127.82 грн
22+
121.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
179А(1492367)
Опір в стані провідності
1,9мОм(1479467)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
231Вт(1740756)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
91нКл(1479344)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,995 g
 
Транзистори з каналом N THT IRL40B212
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1175027
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 179А; 231Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
166.17 грн
3+
147.00 грн
8+
127.82 грн
22+
121.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
179А
Опір в стані провідності
1,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
231Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
91нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,995 g