0 0 0
  8. IRL6342TRPBF

Транзистори з каналом N SMD IRL6342TRPBF

 
IRL6342TRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076888
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,9А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
39.13 грн
10+
36.82 грн
40+
30.43 грн
47+
21.32 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2932 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
9,9А(1492345)
Опір в стані провідності
14,6мОм(1479017)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2,5Вт(1449363)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,109 g
 
Транзистори з каналом N SMD IRL6342TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076888
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,9А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
39.13 грн
10+
36.82 грн
40+
30.43 грн
47+
21.32 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2932 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
9,9А
Опір в стані провідності
14,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,109 g