0 0 0
  7. IRL6372TRPBF

Транзистори багатоканальні IRL6372TRPBF

 
IRL6372TRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000399
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 8,1А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.08 грн
5+
35.14 грн
25+
31.25 грн
37+
27.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1167 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
8,1А(1492299)
Опір в стані провідності
17,9мОм(1596103)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
2,5Вт(1449363)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,113 g
 
Транзистори багатоканальні IRL6372TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000399
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 8,1А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.08 грн
5+
35.14 грн
25+
31.25 грн
37+
27.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1167 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
8,1А
Опір в стані провідності
17,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
2,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,113 g