0 0 0
  8. IRL80HS120

Транзистори з каналом N SMD IRL80HS120

 
IRL80HS120
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076891
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 9А; 5,8Вт; PQFN2X2
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
50.32 грн
10+
38.34 грн
34+
30.03 грн
92+
28.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN2X2(1479009)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
9А(1441543)
Опір в стані провідності
32мОм(1441272)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
5,8Вт(1449552)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Заряд затвора
4,7нКл(1479217)
Технологія
OptiMOS™ 5(1599490)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD IRL80HS120
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076891
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 9А; 5,8Вт; PQFN2X2
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
50.32 грн
10+
38.34 грн
34+
30.03 грн
92+
28.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN2X2
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
9А
Опір в стані провідності
32мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
5,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Заряд затвора
4,7нКл
Технологія
OptiMOS™ 5
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g