0 0 0
  8. IRLB3813PBF

Транзистори з каналом N THT IRLB3813PBF

 
IRLB3813PBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078999
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 260А; 230Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
126.65 грн
3+
113.91 грн
10+
101.16 грн
12+
87.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 17 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
260А(1479589)
Опір в стані провідності
1,95мОм(1479584)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
230Вт(1701908)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
57нКл(1479286)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,947 g
 
Транзистори з каналом N THT IRLB3813PBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078999
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 260А; 230Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
126.65 грн
3+
113.91 грн
10+
101.16 грн
12+
87.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 17 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
260А
Опір в стані провідності
1,95мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
230Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
57нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,947 g