Транзистори з каналом N THT IRLB8314PBF

 
IRLB8314PBF
 
Артикул: 963682
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 120А; Idm: 664А; 125Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
73.31 грн
10+
56.82 грн
31+
33.15 грн
83+
31.32 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 202 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
120А(1441550)
Опір в стані провідності
2,4мОм(1479456)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
664А(1810522)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,96 g
 
Транзистори з каналом N THT IRLB8314PBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 963682
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 120А; Idm: 664А; 125Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
73.31 грн
10+
56.82 грн
31+
33.15 грн
83+
31.32 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 202 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
120А
Опір в стані провідності
2,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
664А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,96 g