Транзистори з каналом N SMD IRLHM630TRPBF

 
IRLHM630TRPBF
 
Артикул: 076897
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 2,7Вт; PQFN3.3X3.3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
4000+
55.91 грн
Мін. замовлення: 4000
Кратність: 4000
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN3.3X3.3(1479337)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
21А(1441374)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2,7Вт(1741762)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 430 mg
 
Транзистори з каналом N SMD IRLHM630TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076897
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 2,7Вт; PQFN3.3X3.3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
4000+
55.91 грн
Мін. замовлення: 4000
Кратність: 4000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN3.3X3.3
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
21А
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 430 mg