0 0 0
  8. IRLL024NTRPBF

Транзистори з каналом N SMD IRLL024NTRPBF

 
IRLL024NTRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076903
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.10 грн
45+
22.52 грн
123+
21.32 грн
7500+
20.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1606 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напруга сток-джерело
55В(1441361)
Струм стока
4,4А(1441573)
Опір в стані провідності
65мОм(1441555)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2,1Вт(1487305)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
10,4нКл(1479138)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,214 g
 
Транзистори з каналом N SMD IRLL024NTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076903
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.10 грн
45+
22.52 грн
123+
21.32 грн
7500+
20.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1606 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напруга сток-джерело
55В
Струм стока
4,4А
Опір в стані провідності
65мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
10,4нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,214 g