0 0 0
  8. IRLL024ZTRPBF

Транзистори з каналом N SMD IRLL024ZTRPBF

 
IRLL024ZTRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076904
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4А; Idm: 40А; 1Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
107.26 грн
5+
46.56 грн
25+
41.79 грн
31+
32.10 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2718 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напруга сток-джерело
55В(1441361)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
60мОм(1441262)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Заряд затвора
11нКл(1479181)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
40А(1748037)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,193 g
 
Транзистори з каналом N SMD IRLL024ZTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076904
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4А; Idm: 40А; 1Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
107.26 грн
5+
46.56 грн
25+
41.79 грн
31+
32.10 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2718 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напруга сток-джерело
55В
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
60мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Заряд затвора
11нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,193 g