0 0 0
  8. IRLML6346TRPBF

Транзистори з каналом N SMD IRLML6346TRPBF

 
IRLML6346TRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076920
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; Idm: 17А; 0,8Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
28.75 грн
5+
20.28 грн
50+
13.18 грн
100+
11.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 30712 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
2,7А(1492297)
Опір в стані провідності
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,8Вт(1507583)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
2,9нКл(1479119)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
17А(1811009)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,037 g
 
Транзистори з каналом N SMD IRLML6346TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076920
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; Idm: 17А; 0,8Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
28.75 грн
5+
20.28 грн
50+
13.18 грн
100+
11.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 30712 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
2,7А
Опір в стані провідності
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,8Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
2,9нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
17А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,037 g