Транзистори з каналом N SMD IRLR2905TRPBF

 
IRLR2905TRPBF
 
Артикул: 076933
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.91 грн
3+
36.18 грн
10+
34.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 25 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
55В(1441361)
Струм стока
30А(1441514)
Опір в стані провідності
27мОм(1479328)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
48нКл(1479306)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
160А(1741661)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,392 g
 
Транзистори з каналом N SMD IRLR2905TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076933
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.91 грн
3+
36.18 грн
10+
34.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 25 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
55В
Струм стока
30А
Опір в стані провідності
27мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
48нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
160А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,392 g