0 0 0
  8. IRLR2905ZTRPBF

Транзистори з каналом N SMD IRLR2905ZTRPBF

 
IRLR2905ZTRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076934
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 43А; Idm: 240А; 110Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
75.07 грн
10+
62.06 грн
26+
39.85 грн
70+
37.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1284 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
55В(1441361)
Струм стока
43А(1479345)
Опір в стані провідності
13,5мОм(1479016)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
35нКл(1479287)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
240А(1741658)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,341 g
 
Транзистори з каналом N SMD IRLR2905ZTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076934
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 43А; Idm: 240А; 110Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
75.07 грн
10+
62.06 грн
26+
39.85 грн
70+
37.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1284 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
55В
Струм стока
43А
Опір в стані провідності
13,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
35нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
240А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,341 g