0 0 0
  8. IRLS3813TRLPBF

Транзистори з каналом N SMD IRLS3813TRLPBF

 
IRLS3813TRLPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076971
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 156А; 195Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
128.58 грн
5+
115.81 грн
12+
88.65 грн
31+
83.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
156А(1492246)
Опір в стані провідності
1,95мОм(1479584)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
195Вт(1741754)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Заряд затвора
55нКл(1632980)
Технологія
HEXFET®(1667409)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD IRLS3813TRLPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076971
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 156А; 195Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
128.58 грн
5+
115.81 грн
12+
88.65 грн
31+
83.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
156А
Опір в стані провідності
1,95мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
195Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Заряд затвора
55нКл
Технологія
HEXFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g