0 0 0
  8. SPB18P06PGATMA1

Транзистори з каналом P SMD SPB18P06PGATMA1

 
SPB18P06PGATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 140939
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
92.98 грн
5+
69.93 грн
17+
60.40 грн
46+
57.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-18,6А(1600729)
Опір в стані провідності
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
81,1Вт(1741913)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
SIPMOS™(1596125)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,613 g
 
Транзистори з каналом P SMD SPB18P06PGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 140939
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
92.98 грн
5+
69.93 грн
17+
60.40 грн
46+
57.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-18,6А
Опір в стані провідності
0,13Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
81,1Вт
Поляризація
польовий
Технологія
SIPMOS™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,613 g