0 0 0
  8. SPB80P06PGATMA1

Транзистори з каналом P SMD SPB80P06PGATMA1

 
SPB80P06PGATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 140940
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
245.56 грн
5+
216.95 грн
6+
188.34 грн
15+
178.01 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 819 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-80А(1600731)
Опір в стані провідності
23мОм(1441493)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
340Вт(1741907)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
SIPMOS™(1596125)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,665 g
 
Транзистори з каналом P SMD SPB80P06PGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 140940
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
245.56 грн
5+
216.95 грн
6+
188.34 грн
15+
178.01 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 819 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-80А
Опір в стані провідності
23мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
340Вт
Поляризація
польовий
Технологія
SIPMOS™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,665 g