0 0 0
  8. SPD18P06PGBTMA1

Транзистори з каналом P SMD SPD18P06PGBTMA1

 
SPD18P06PGBTMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 140947
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
83.44 грн
10+
77.09 грн
17+
58.81 грн
47+
55.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2456 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-18,6А(1600729)
Опір в стані провідності
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
80Вт(1701921)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
SIPMOS™(1596125)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,392 g
 
Транзистори з каналом P SMD SPD18P06PGBTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 140947
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
83.44 грн
10+
77.09 грн
17+
58.81 грн
47+
55.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2456 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-18,6А
Опір в стані провідності
0,13Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
80Вт
Поляризація
польовий
Технологія
SIPMOS™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,392 g