0 0 0
  8. SPP11N60C3XKSA1

Транзистори з каналом N THT SPP11N60C3XKSA1

 
SPP11N60C3XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1164466
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; PG-TO220
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
169.37 грн
10+
106.25 грн
26+
100.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 57 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO220(1604790)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
7А(1441285)
Опір в стані провідності
0,38Ом(1638675)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
CoolMOS™(1601653)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
33А(1810524)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,09 g
 
Транзистори з каналом N THT SPP11N60C3XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1164466
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; PG-TO220
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
169.37 грн
10+
106.25 грн
26+
100.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 57 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO220
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
7А
Опір в стані провідності
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Технологія
CoolMOS™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
33А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,09 g