0 0 0
  8. SPP18P06PHXKSA1

Транзистори з каналом P THT SPP18P06PHXKSA1

 
SPP18P06PHXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 141222
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,7А; 81,1Вт; PG-TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
109.64 грн
14+
73.10 грн
38+
69.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 43 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO220-3(1599688)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-18,7А(1492418)
Опір в стані провідності
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
81,1Вт(1741913)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технологія
SIPMOS™(1596125)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,018 g
 
Транзистори з каналом P THT SPP18P06PHXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 141222
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,7А; 81,1Вт; PG-TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
109.64 грн
14+
73.10 грн
38+
69.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 43 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO220-3
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-18,7А
Опір в стані провідності
0,13Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
81,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Технологія
SIPMOS™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,018 g