0 0 0
  7. IXA60IF1200NA

Модулі IGBT IXA60IF1200NA

 
IXA60IF1200NA
 
IXYS
Артикул: 996766
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 56А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 804.84 грн
2+
1 705.95 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 28 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
56А(1500603)
Струм колектора в імпульсі
150А(1441723)
Потужність розсіювання
290Вт(1702088)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Технологія
XPT™(1746878)
Додаткова інформація: Маса брутто: 37,6 g
 
Модулі IGBT IXA60IF1200NA
IXYS
Артикул: 996766
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 56А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 804.84 грн
2+
1 705.95 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 28 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
56А
Струм колектора в імпульсі
150А
Потужність розсіювання
290Вт
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Технологія
XPT™
Додаткова інформація: Маса брутто: 37,6 g