0 0 0
  7. IXA70I1200NA

Модулі IGBT IXA70I1200NA

 
IXA70I1200NA
 
IXYS
Артикул: 268830
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 034.91 грн
2+
1 924.39 грн
3+
1 923.62 грн
10+
1 867.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 7 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
65А(1478929)
Струм колектора в імпульсі
150А(1441723)
Потужність розсіювання
350Вт(1701906)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Технологія
XPT™(1746878)
Додаткова інформація: Маса брутто: 34,54 g
 
Модулі IGBT IXA70I1200NA
IXYS
Артикул: 268830
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 034.91 грн
2+
1 924.39 грн
3+
1 923.62 грн
10+
1 867.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 7 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
IXYS
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
65А
Струм колектора в імпульсі
150А
Потужність розсіювання
350Вт
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Технологія
XPT™
Додаткова інформація: Маса брутто: 34,54 g