0 0 0
  8. IXBF40N160

Транзисторы IGBT THT IXBF40N160

 
IXBF40N160
 
IXYS
Артикул: 221052
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,6кВ; 16А; 250Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 658.17 грн
2+
1 568.39 грн
3+
1 567.60 грн
10+
1 541.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
ISOPLUS i4-pac™ x024c(1813560)
Напруги колектор-емітер
1,6кВ(1440985)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
16А(1440971)
Струм колектора в імпульсі
40А(1645250)
Час ввімкнення
260нс(1751716)
Час вимкнення
340нс(1750740)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
130нКл(1479431)
Технологія
BiMOSFET™(1742772)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,455 g
 
Транзисторы IGBT THT IXBF40N160
IXYS
Артикул: 221052
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,6кВ; 16А; 250Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 658.17 грн
2+
1 568.39 грн
3+
1 567.60 грн
10+
1 541.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
ISOPLUS i4-pac™ x024c
Напруги колектор-емітер
1,6кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
16А
Струм колектора в імпульсі
40А
Час ввімкнення
260нс
Час вимкнення
340нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
250Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
130нКл
Технологія
BiMOSFET™
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,455 g