0 0 0
  8. IXBH16N170

Транзисторы IGBT THT IXBH16N170

 
IXBH16N170
 
IXYS
Артикул: 221057
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 283.16 грн
2+
920.06 грн
3+
869.21 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
1,7кВ(1440940)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
16А(1440971)
Струм колектора в імпульсі
120А(1441628)
Час ввімкнення
220нс(1640042)
Час вимкнення
940нс(1742883)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний(1698741)
Заряд затвора
72нКл(1479338)
Технологія
FRED(1714399) BiMOSFET™(1742772)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,08 g
 
Транзисторы IGBT THT IXBH16N170
IXYS
Артикул: 221057
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 283.16 грн
2+
920.06 грн
3+
869.21 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
1,7кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
16А
Струм колектора в імпульсі
120А
Час ввімкнення
220нс
Час вимкнення
940нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
250Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
високовольтний
Заряд затвора
72нКл
Технологія
FRED
Технологія
BiMOSFET™
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,08 g